中国铁合金网讯：半导体材料瓶颈可望突破!台湾科技部近日宣布，台湾、日本、沙乌地阿拉伯等团队，已研究出单层二硫化钼P-N接面，可望取代硅晶片成为新世代半导体核心元件，广泛应用在可穿戴设备及手机中。

这是全球第1个发表新世代半导体材料基础研究成果，不但将刊登在最新一期国际期刊《SCIENCE》中，交大研究团队透露，这项结果可望吸引台积电更积极合作研究，以早日抢占全球市场商机。

在科技部大力支持“尖端晶体材料开发及制作计划”科技预算下，半导体材料瓶颈有了重大突破。台湾研究团队计划主持人交大电子物理系教授张文豪指出，英特尔及三星均积极投入单层元件材料研究，台积电也积极与学界接洽合作，未来谁能抢先开发单层元件材料，就能在全球市场占有一席之地。

张文豪说，单层二硫化钼是全球科学家认为新世代半导体颇有潜力的材料，这次研究团队发展出单层二硫化钼及单层二硒化钨的完美P-N接面，可望解决半导体元件制备关键问题。未来可广泛应用于极度微小化的电子元件，尤其单层二硫化钼具有极轻薄透明特性，有潜力应用在未来低耗能软性电子与穿戴式电子元件，或手机应用中。

台湾科技部指出，二硫化钼是继石墨烯后，备受国际科学家关注层状材料，单层二硫化钼具有良好发光效率，极佳电子迁移率(可快速反应)与高开关比(电晶体较稳定)，可用于未来新型低耗能逻辑电路，极有可能取代目前硅晶做下世代主要核心元件。国际半导体大厂如Intel、台积电及三星等，最小元件技术约落在7～10纳米间，而这项研究成果为二硫化钼及相关无机二维材料电子学研究及应用，将有助二硫化钼等材料应用在2纳米半导体工艺技术中。

• [责任编辑：Zhang Xing]